GOODRAM - Seite 3

DDR4, Modul, 8 GB, SO DIMM 260-PIN, 3200 MHz / PC4-25600, CL22, 1.2 V, ungepuffert, non-ECC

USB-stick, 16 GB, USB 3.2 Gen 1 USB-A verbindung, Übertragungsgeschwindigkeit bis zu 60MB/s (lese) / bis zu 20MB/s (schreib), Bewegliches Kappe-Design, farbe: silber / schwarz

USB-stick, 128 GB, USB 3.2 Gen 1 USB-A verbindung, Übertragungsgeschwindigkeit bis zu 60MB/s (lese) / bis zu 20MB/s (schreib), schutzkappe, farbe: blau

USB-stick, 16 GB, USB 2.0 USB-A verbindung, Übertragungsgeschwindigkeit bis zu 20MB/s (lese) / bis zu 5MB/s (schreib), schutzkappe, farbe: weiss

SSD (Solid State Drive), 256 GB, intern, datenübertragungsrate: 3200 MB/s (lesen) / 1300 MB/s (schreiben), IOPS: 80000 IOPS (lesen) / 250000 IOPS (schreiben), größe: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 3.0 x4 verbindung, NVMe 1.3 (Non-Volatile Memory Express), farbe: weiß

SSD (Solid State Drive), 256 GB, intern, datenübertragungsrate: 550 MB/s (lesen) / 500 MB/s (schreiben), größe: 2.5", SATA-600 verbindung, Phison S11 controller, farbe: weiß

USB-stick, 256 GB, USB 3.2 Gen 1 USB-A verbindung, Übertragungsgeschwindigkeit bis zu 60MB/s (lese) / bis zu 20MB/s (schreib), schutzkappe, farbe: schwarz

USB-stick, 16 GB, USB 3.2 Gen 1 USB-A verbindung, Übertragungsgeschwindigkeit bis zu 60MB/s (lese) / bis zu 20MB/s (schreib), schutzkappe, farbe: braun

• Der Eco Friendly ist ein neues USB-Speichermodell der UME-Serie, das vollständig in Polen entworfen und hergestellt wurde. Sein Hauptmerkmal, das ihn von anderen auf dem Markt erhältlichen Optionen unterscheidet, ist das Gehäuse aus 100% biologisch abbaubaren Materialien, die sich unter Kompostierungsbedingungen zersetzen.

Flash-Speicherkarte (SD-Adapter inbegriffen), 32 GB, UHS-I / Class10, microSDHC UHS-I

Arbeitsspeicher (RAM), 16GB: 1 x 16GB (Single Channel), DIMM 288-pin, DDR5, Geschwindigkeit: 5600 MHz (MT/s) / PC5-44800, CAS-Latenz: 46, Spannung: 1,1 volt, ungepuffert, On-Die ECC, RAM-Chip-Konfiguration: Single Ranked, Farbe: schwarz

• Schritt in die Zukunft: GOODRAM DDR5-Speicher stehen für beispiellose Leistung und einen enormen technologischen Fortschritt im Vergleich zu früheren Generationen. Benutzer von Plattformen, die an den neuesten Standard angepasst sind, werden den Unterschied sicherlich zu schätzen wissen - DDR5-DRAM bietet etwa 50 % mehr Bandbreite als die vierte Generation sowie die doppelte Anzahl an Bänken. Die Stabilität bei so hohen Taktraten wird durch den integrierten Power-Management-Chip (PMIC) gewährleistet.