Waren-Nr.: 2971898

Samsung PM9A3 SSD - 3.8TB - M.2 22110 (110mm) PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 3.84 TB, intern, datenübertragungsrate: 6900 MB/s (lesen) / 4100 MB/s (schreiben), IOPS: 1000000 IOPS (lesen) / 180000 IOPS (schreiben), größe: U.2 / 2.5", PCI-Express 4.0 x4 verbindung, NVMe 1.4 (Non-Volatile Memory Express), Hardware-Verschlüsselung: 256-XTS bit TCG Opal, Samsung Elpis controller, farbe: weiß, optimiert für Servernutzung

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The Samsung SSD PM9A3 presents outstanding performance with instant responsiveness to the host system, by applying the Peripheral Component Interconnect Express (PCIe) 3.0 interface standard, as well as highly efficient Non-Volatile Memory Express (NVMe) Protocol.

By combining the enhanced reliability Samsung NAND Flash memory silicon with NAND Flash management technologies, the Samsung SSD PM9A3 delivers the extended endurance of up to 1.3 drive writes per day over 3 years, which is suitable for enterprise applications.

In addition, the Samsung SSD PM9A3 supports Power Loss Protection (PLP). PLP solution can guarantee that data issued by the host system are written to the storage media without any loss in the event of sudden power off or sudden power failure.

Hersteller
Waren-Nr.
2971898
Modell
MZ1L23T8HBLA-00A07
EAN
8592978395070
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Produktbeschreibung
Samsung PM9A3 MZ1L23T8HBLA - SSD - 3.84 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
3.84 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-bit AES-XTS
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 22110
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
22 mm x 110 mm x 3.8 mm
Gewicht
20 g

Allgemein

Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
3.84 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-bit AES-XTS
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 22110
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Byte pro Sektor
512
Merkmale
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Breite
22 mm
Tiefe
110 mm
Höhe
3.8 mm
Gewicht
20 g

Leistung

Interner Datendurchsatz
5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
800000 IOPS
4 KB Random Write
85000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 22110

Stromversorgung

Energieverbrauch
8.2 watt (Lesen)
8.2 watt (Schreiben)
2.5 watt (Leerlauf)

Verschiedenes

Kennzeichnung
RoHS, cUL, TUV, BSMI, CB, KCC, VCCI, RCM, FCC, IC, halogenfrei

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 10-2000 Hz

Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.