Waren-Nr.: 3303622

Samsung 990 EVO Plus SSD - 4TB - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, datenübertragungsrate: 7250 MB/s (lesen) / 6300 MB/s (schreiben), IOPS: 1050000 IOPS (lesen) / 1400000 IOPS (schreiben), größe: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 / PCI-Express 5.0 x2 verbindung, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Samsung controller

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The Samsung 990 EVO Plus is an internal solid state drive designed for demanding applications. With a robust capacity of up to 4 TB, it ensures ample storage for a variety of files and applications. The drive utilizes PCI Express 5.0 and boasts internal data rates of up to 7150 MB/s, allowing for quick data retrieval and minimal load times. Samsung’s V-NAND TLC Technology enhances performance and endurance, making it suitable for both everyday computing and intensive tasks. This drive is engineered to withstand a range of environmental conditions, operating effectively in temperatures from 0°C to 70°C and withstanding storage temperatures as low as -40°C and as high as 85°C. It features TRIM support and an Auto Garbage Collection Algorithm, ensuring optimal performance over time. Security is prioritized with hardware encryption and compliance with TCG Opal Encryption 2.0, safeguarding data against unauthorized access.

Hersteller
Waren-Nr.
3303622
Modell
MZ-V9S4T0BW
EAN
8806095575667
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Produktbeschreibung
Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Gewicht
9 g

Allgemein

Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Merkmale
Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
Breite
22.15 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
2.38 mm
Gewicht
9 g

Leistung

Interner Datendurchsatz
7250 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1400000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1050000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
1.500.000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280

Stromversorgung

Energieverbrauch
5.5 watt (Lesen)
4.8 watt (Schreiben)
60 mW (Standby)
5 mW (Sleep-Modus)

Software & Systemanforderungen

Software inbegriffen
Samsung Magician Software

Verschiedenes

Gehäusematerial
Nickelbeschichtung

Abmessungen & Gewicht (Transport)

Transportbreite
9.9 cm
Transporttiefe
2.29 cm
Transporthöhe
14.2 cm

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 20-2000 Hz

Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.