Waren-Nr.: 3521725
Kioxia CD9P-R Series KCD9DPJE15T3 - SSD - Data Centre Read Intensive - 15360 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
SSD, Rechenzentrum, Leseintensiv, verschlüsselt, 15360 GB, intern, E3.S (E3.S), PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
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Das KCD9DPJE15T3 der KIOXIA CD9P-R-Serie ist ein NVMe-Solid-State-Laufwerk der Enterprise-Klasse mit hoher Kapazität, das für leseintensive Workloads in Rechenzentren entwickelt wurde. Es bietet konsistenten Zugriff auf große Datensätze mit geringer Latenz dank PCI-Express-5.0-x4-Anschluss und kontinuierlichen internen Datenübertragungsraten, die anspruchsvolle Durchsatzanforderungen erfüllen. Integrierte Datensicherungs- und Verschlüsselungsfunktionen tragen zur Wahrung der Datenintegrität und -sicherheit bei, während ein robustes mechanisches und thermisches Design einen zuverlässigen Betrieb über einen breiten Temperatur- und Feuchtigkeitsbereich hinweg gewährleistet.
Hersteller
Waren-Nr.
3521725
Modell
KCD9DPJE15T3
EAN
4582761163188
Zum Hersteller:
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Produktbeschreibung
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPJE15T3 - SSD - Rechenzentrum, Leseintensiv - 15360 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
15360 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S (E3.S)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Laufwerkklasse
Rechenzentrum, Leseintensiv
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS-Flash, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Gewicht
110 g
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
15360 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S (E3.S)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS-Flash, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz
Breite
76 mm
Tiefe
112.75 mm
Höhe
7.5 mm
Gewicht
110 g
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Laufwerkklasse
Rechenzentrum, Leseintensiv
Interner Datendurchsatz
14500 MBps (lesen)/ 7000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
2600000 IOPS
4 KB Random Write
450000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
2,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
E3.S (E3.S)
Stromversorgung
Erforderliche Netzspannung
12 V
Energieverbrauch
23 watt (aktiv)
5 watt (Leerlauf)
5 watt (Leerlauf)
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
76 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.