Waren-Nr.: 3210628
Kioxia CD8-R Series KCD8XRUG1T92 - SSD - Read Intensive - 1920 GB - data centre SSD - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
SSD, Read Intensive, 1920 GB, Datenzentrums-SSD, intern, 2.5" (6.4 cm), PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Die CD8-R-Serie ist eine leseintensive NVMe-SSD für Rechenzentren, die für die Unterstützung einer breiten Palette von Scale-Out- und Cloud-Anwendungen optimiert ist, einschließlich Big Data/IoT, Online-Transaktionsverarbeitung und Virtualisierung. Die mit einer PCIe 4.0 (16 GT/s x4)-Schnittstelle ausgestatteten SSDs der CD8-R-Serie liefern eine konstante Leistung von bis zu 1.250K IOPS (zufälliges Lesen) und 200K IOPS (zufälliges Schreiben).Die mit KIOXIA 112-Layer BiCS FLASH 3D TLC Flash-Speicher ausgestatteten CD8-R SSDs mit 2,5-Zoll-Formfaktor bieten eine Ausdauer von 1 DWPD (Drive Writes Per Day) und eine große Speicherkapazität in einem 2,5-Zoll-Formfaktor, wodurch sie sich gut für Hyperscale-Rechenzentrumsanwendungen eignen.
Hersteller
Waren-Nr.
3210628
Modell
KCD8XRUG1T92
EAN
8592978480257
Zum Hersteller:
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Produktbeschreibung
KIOXIA CD8-R Series KCD8XRUG1T92 - SSD - Read Intensive - 1920 GB - Datenzentrums-SSD - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
1920 GB
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
2.5" (6.4 cm)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Laufwerkklasse
Read Intensive
Merkmale
112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE), Datenschutz bei Stromausfall, End-to-End-Datenschutz
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
69.85 mm x 100.45 mm x 15 mm
Gewicht
130 g
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
1920 GB
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
2.5" (6.4 cm)
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE), Datenschutz bei Stromausfall, End-to-End-Datenschutz
Breite
69.85 mm
Tiefe
100.45 mm
Höhe
15 mm
Gewicht
130 g
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Laufwerkklasse
Read Intensive
Interner Datendurchsatz
7200 MBps (lesen)/ 3500 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
150000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1250000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
2500000 Stunden
Dauerbetrieb 24/7
Ja
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 4.0 (NVMe1.4)
Kompatibles Schaltfeld
2.5" (6.4 cm)
Stromversorgung
Energieverbrauch
13 Watt (aktiv (typisch))
5 Watt (Leerlauf)
5 Watt (Leerlauf)
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
75 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.